托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法

托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法，涉及核聚变装置技术领域。托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统，包括真空装置、刻蚀装置和观测装置；真空装置包括真空气氛腔室、真空泵组和真空规；刻蚀装置包括刻蚀平台、光纤激光器和主控电脑。托卡马克第一壁材料刻蚀深度标定方法，步骤如下：预处理；离子注入；获取烧蚀前的13C离子浓度分布情况；激光刻蚀；计算激光刻蚀深度；获取激光刻蚀后的13C离子浓度分布情况；建立13C离子浓度与刻蚀深度对应关系的数据库。本发明将示踪元素13C用于托卡马克第一壁材料腐蚀深度的标定，为在线测量托卡马克第一壁材料的腐蚀深度提供了切实可行的方案。

《托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法》是一发明专利，专利号为 2021112438341，当前法律状态为已下证，由南华大学提出申请，发明人为邱长军;陈勇;贺阳;龙海川;刘豪;李育森;邓新，公开（公告）日期为2023-08-18，国际专利分类号（IPC）为 G01B11/22(2006.01)I，代理机构为衡阳市科航专利事务所(普通合伙)43101，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：核聚变能源技术。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法，涉及核聚变装置技术领域。托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统，包括真空装置、刻蚀装置和观测装置；真空装置包括真空气氛腔室、真空泵组和真空规；刻蚀装置包括刻蚀平台、光纤激光器和主控电脑。托卡马克第一壁材料刻蚀深度标定方法，步骤如下：预处理；离子注入；获取烧蚀前的13C离子浓度分布情况；激光刻蚀；计算激光刻蚀深度；获取激光刻蚀后的13C离子浓度分布情况；建立13C离子浓度与刻蚀深度对应关系的数据库。本发明将示踪元素13C用于托卡马克第一壁材料腐蚀深度的标定，为在线测量托卡马克第一壁材料的腐蚀深度提供了切实可行的方案。

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