一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件

《一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件》是一发明专利，专利号为 202310562730X，当前法律状态为已下证，由重庆邮电大学提出申请，发明人为陈伟中;魏子凯;李程;沈文良;张红升，申请日期为2023-05-18，公开（公告）日期为2025-04-18，国际专利分类号（IPC）为 H10D 12/00 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：SJ-LIGBT、超结、自偏置PMOS、抗短路、横向绝缘栅双极晶体管。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。

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